精智達擬定增募資29.59億元 投向高端芯片測試設(shè)備等項目

　　2月27日晚間，精智達發(fā)布定增預(yù)案，公司擬募資不超過29.59億元，主要投向半導體存儲測試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化智造項目、高端芯片測試設(shè)備及前沿技術(shù)研發(fā)中心項目以及補充流動資金。

　　談及本次定增背景和目的，精智達認為，受AI時代下HBM、算力芯片等高端測試需求爆發(fā)式增長的影響，高端半導體存儲測試設(shè)備市場面臨持續(xù)供應(yīng)缺口。與此同時，隨著中國加快構(gòu)建自主供應(yīng)鏈建設(shè)，國內(nèi)對本土高端半導體存儲測試設(shè)備需求將進一步增加。

　　據(jù)介紹，公司是國內(nèi)少數(shù)實現(xiàn)半導體存儲器測試設(shè)備全覆蓋的廠商，已于部分產(chǎn)線成功取代國外供應(yīng)商成為相關(guān)產(chǎn)品主要供應(yīng)商，實現(xiàn)重要生產(chǎn)環(huán)節(jié)自主可控。下游客戶旺盛的市場需求給公司提供良好市場機遇期。然而，公司高端半導體存儲測試設(shè)備產(chǎn)業(yè)化能力目前難以滿足下游客戶的設(shè)備需求，提升高端半導體存儲測試設(shè)備產(chǎn)業(yè)化能力有其迫切性，有利于鞏固并進一步提升公司在半導體測試設(shè)備領(lǐng)域市場地位和競爭力。

　　SEMI預(yù)測，2025年全球半導體測試設(shè)備銷售額將增長48.10%至112億美元。根據(jù)Trend Force數(shù)據(jù)，2025年國內(nèi)DRAM晶圓投入量預(yù)計達273萬片，同比增長68.5%，國內(nèi)主流存儲廠商正加速擴產(chǎn)與技術(shù)升級。在此背景下，國內(nèi)對高端半導體存儲測試設(shè)備的配套需求必將呈現(xiàn)同步快速增長。

　　從具體細分項目來看，據(jù)披露，半導體存儲測試設(shè)備產(chǎn)業(yè)化智造項目擬投入募集資金4.4億元，建設(shè)周期為36個月。該項目擬在深圳市龍華區(qū)購置土地建設(shè)高標準生產(chǎn)廠房、辦公場地等配套設(shè)施，引入先進的生產(chǎn)配套設(shè)備及軟件，打造標準化、現(xiàn)代化、規(guī)?；陌雽w存儲測試設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地。

　　“該項目的實施將進一步緩解公司生產(chǎn)場地主要依賴租賃取得以及生產(chǎn)場地空間瓶頸，有效提升公司高端半導體存儲測試設(shè)備產(chǎn)業(yè)化能力，充分滿足下游市場及客戶的產(chǎn)品需求?！?span web="1" target="_blank" class="em_stock_key_common" data-code="1,688627">精智達表示。

　　半導體存儲測試設(shè)備技術(shù)研發(fā)項目擬投入募資3.81億元，建設(shè)周期60個月。項目擬在深圳市龍華區(qū)建設(shè)研發(fā)場地，引入半導體存儲測試設(shè)備技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)所需的先進的設(shè)備及軟件，擴充研發(fā)團隊，進一步提升公司研發(fā)實力。

　　高端芯片測試設(shè)備及前沿技術(shù)研發(fā)中心項目擬投入募資15.38億元，建設(shè)周期60個月。項目擬在長三角打造高端芯片測試設(shè)備及前沿技術(shù)研發(fā)中心，購置先進的軟硬件設(shè)施，引入優(yōu)秀技術(shù)人才，助力公司深入開展研發(fā)活動，持續(xù)提升技術(shù)研發(fā)實力。

　　當晚，精智達還發(fā)布2025年度業(yè)績快報。去年公司實現(xiàn)營業(yè)總收入11.3億元，同比增長40.65%；同期實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤6881.81萬元，同比下降14.15%；營收增長主要系公司研發(fā)投入持續(xù)增加，公司產(chǎn)品矩陣更加豐富；半導體測試設(shè)備市場份額進一步擴大。

（文章來源：證券時報網(wǎng)）

(原標題：精智達擬定增募資29.59億元 投向高端芯片測試設(shè)備等項目)

(責任編輯：3)