三星電子或最早于本月第三周開始量產(chǎn)HBM4，高“設(shè)備”含量的科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）近1月規(guī)模增長(zhǎng)33.84億元領(lǐng)先同類

　　截至2026年2月9日 13點(diǎn)34分，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)強(qiáng)勢(shì)上漲2.16%，成分股興福電子上漲8.78%，華海誠(chéng)科上漲7.08%，晶升股份上漲6.26%，中船特氣，華峰測(cè)控等個(gè)股跟漲。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）上漲2.08%，最新價(jià)報(bào)1.77元。

　　截至2026年2月9日 13點(diǎn)36分，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)強(qiáng)勢(shì)上漲2.25%，成分股華海誠(chéng)科上漲6.85%，廣立微上漲6.44%，晶升股份上漲5.72%，華峰測(cè)控，中船特氣等個(gè)股跟漲。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）上漲2.08%，最新價(jià)報(bào)1.92元。

　　流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手6.3%，成交5.12億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手3.56%，成交9782.14萬(wàn)元。規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1月規(guī)模增長(zhǎng)33.84億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，新增規(guī)模領(lǐng)先同類；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)26.91億元。

　　資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流入8744.07萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，近10個(gè)交易日內(nèi)有6日資金凈流入，合計(jì)“吸金”3.37億元，日均凈流入達(dá)3365.63萬(wàn)元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出378.03萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，近21個(gè)交易日內(nèi)有15日資金凈流入，合計(jì)“吸金”16.04億元，日均凈流入達(dá)7636.82萬(wàn)元。

　　消息面上，三星電子決定最早于本月第三周開始量產(chǎn)HBM4，這批產(chǎn)品將用于英偉達(dá)下一代人工智能計(jì)算平臺(tái)Vera Rubin。在已通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證測(cè)試的情況下，三星電子綜合考慮Vera Rubin的上市計(jì)劃，最終敲定了量產(chǎn)時(shí)間。業(yè)界預(yù)計(jì)，英偉達(dá)有望在下月舉行年度開發(fā)者大會(huì)（GTC）上首次公開搭載三星電子HBM4的相關(guān)產(chǎn)品。

　　中郵證券指出，Rubin GPU集成了新一代高帶寬內(nèi)存HBM4，其接口寬度較HBM3e增加一倍。通過(guò)新內(nèi)存控制器、與內(nèi)存生態(tài)系統(tǒng)的深度協(xié)同設(shè)計(jì)及更緊密的計(jì)算-內(nèi)存集成，Rubin GPU的內(nèi)存帶寬幾乎達(dá)到了Blackwell的三倍。數(shù)量上，每顆Rubin GPUHBM4，容量288GB，帶寬22TB/s，不再只是GPU附近的“高速緩存”，而是整個(gè)系統(tǒng)吞吐的硬約束。單價(jià)上，HBM4較3e顯著提升，有望明顯帶動(dòng)原廠的毛利率提升。

　　相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中半導(dǎo)體設(shè)備（60%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

　　半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（63%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。

（文章來(lái)源：每日經(jīng)濟(jì)新聞）

(原標(biāo)題：三星電子或最早于本月第三周開始量產(chǎn)HBM4，高“設(shè)備”含量的科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）近1月規(guī)模增長(zhǎng)33.84億元領(lǐng)先同類)

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