2026年Q1 NAND閃存價格環(huán)比漲幅超40%，AI算力需求爆發(fā)帶動半導(dǎo)體設(shè)備、存儲賽道景氣度上行

　　截至2026年2月4日 11點07分，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.95%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，晶升股份領(lǐng)漲3.01%，京儀裝備上漲0.47%，中微公司上漲0.41%；神工股份領(lǐng)跌4.71%，華海誠科下跌3.50%，富創(chuàng)精密下跌2.84%?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌0.96%，最新報價1.75元。

　　截至2026年2月4日 11點09分，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.90%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，晶升股份領(lǐng)漲3.03%，京儀裝備上漲0.74%，拓荊科技上漲0.48%；神工股份領(lǐng)跌4.76%，華海誠科下跌3.41%，富創(chuàng)精密下跌3.19%。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）下跌0.74%，最新報價1.88元。

　　流動性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手3.99%，成交3.21億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手2.84%，成交7810.62萬元。規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近2周規(guī)模增長5.55億元，實現(xiàn)顯著增長，新增規(guī)模位居同類第一；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)27.57億元。

　　資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流出2.27億元。拉長時間看，近5個交易日內(nèi)有4日資金凈流入，合計“吸金”3.89億元，日均凈流入達(dá)7786.37萬元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出1.09億元。拉長時間看，近10個交易日內(nèi)有7日資金凈流入，合計“吸金”6474.22萬元，日均凈流入達(dá)647.42萬元。

　　消息面上，Counterpoint表示，根據(jù)該機構(gòu)2026年1月存儲價格追蹤報告，NAND閃存價格預(yù)計將在本季度上漲超過40%。NAND閃存價格飆升源于各大原廠為了滿足AI服務(wù)器日益增長的NAND需求而削減了消費級產(chǎn)能，此外美光宣布關(guān)閉英睿達(dá)的決策也加劇了市場的焦慮情緒。近期低端128GB PC SSD的成交價已然上漲了50%。該機構(gòu)分析師指出，幾大NAND原廠的產(chǎn)能擴張計劃謹(jǐn)慎而緩慢，鎧俠-閃迪的北上Fab 2晶圓廠預(yù)計將從今年下半年開始對整體產(chǎn)能產(chǎn)生顯著影響，因此NAND價格在上半年仍將保持強勢。

　　愛建證券指出，AI算力需求持續(xù)爆發(fā)，帶動半導(dǎo)體設(shè)備、存儲賽道景氣度上行。ASML 2025年業(yè)績穩(wěn)步增長，EUV光刻機技術(shù)壁壘顯著；三星電子、SK海力士受益于存儲芯片供需緊張、價格上漲，并持續(xù)推進(jìn)高端存儲產(chǎn)品研發(fā)。建議關(guān)注國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備及存儲產(chǎn)業(yè)鏈上市公司的投資機會。

　　相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中半導(dǎo)體設(shè)備（60%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術(shù)進(jìn)展。

　　半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（63%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。

（文章來源：每日經(jīng)濟新聞）

(原標(biāo)題：2026年Q1 NAND閃存價格環(huán)比漲幅超40%，AI算力需求爆發(fā)帶動半導(dǎo)體設(shè)備、存儲賽道景氣度上行)

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