灣芯展圓滿落幕 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正出現(xiàn)六大趨勢

　　先進制程競賽、先進封裝崛起、異質(zhì)集成融合——半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來技術(shù)爆發(fā)的臨界點。

　　10月15日—17日，2025灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會（灣芯展）于在深圳舉辦，吸引超600家國內(nèi)外企業(yè)參展，展示涵蓋半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的前沿技術(shù)。

　　2025年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)站在了一個新的轉(zhuǎn)折點上。經(jīng)過2024年的蓄勢與回暖，業(yè)界對今年市場表現(xiàn)呈現(xiàn)樂觀預(yù)期。世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）預(yù)測，2025年全球半導(dǎo)體銷售額預(yù)計將達到6972億美元，同比增長11.2%。

　　在人工智能、汽車電子等需求的共同驅(qū)動下，半導(dǎo)體技術(shù)正以前所未有的速度迭代創(chuàng)新，呈現(xiàn)出六大鮮明的發(fā)展趨勢。

　　一、2nm及以下工藝量產(chǎn)

　　2025年是先進制程代工廠交付2nm及以下工藝的關(guān)鍵時間點。根據(jù)公開消息，臺積電2nm工藝預(yù)計本季度后期量產(chǎn)。三星計劃今年量產(chǎn)2nm制程SF2，并將在2025-2027年陸續(xù)推出不同版本，分別面向移動、高性能計算及AI和汽車領(lǐng)域。

　　英特爾則加速推進其Intel 18A（1.8nm）工藝，Panther Lake是首個采用英特爾的Intel 18A工藝制造的消費級產(chǎn)品平臺，該處理器預(yù)計將于今年開始量產(chǎn)爬坡，首批芯片將在2025年底前出貨，并將于2026年1月起全面上市。

　　這一轉(zhuǎn)變意味著，當(dāng)制程微縮至2nm以下時，傳統(tǒng)FinFET晶體管架構(gòu)已接近物理極限，全環(huán)繞柵極晶體管成為持續(xù)提升芯片性能和能效的必然選擇。

　　二、HBM4內(nèi)存提速，AI驅(qū)動存儲技術(shù)革新

　　在高性能計算和AI服務(wù)器需求的強勁驅(qū)動下，HBM（高帶寬內(nèi)存）的迭代和制造已進入競速模式。

　　截至目前，SK海力士已建成HBM4量產(chǎn)體系，預(yù)計將占據(jù)HBM4市場60%以上份額，三星、美光等廠商也在加緊籌備HBM4量產(chǎn)，力爭搶占英偉達、AMD認證先機，而國內(nèi)相關(guān)廠商也在加速突破，國產(chǎn)替代窗口期持續(xù)擴大。

　　根據(jù)JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布的 HBM4 初步規(guī)范，HBM4 提高了單個堆棧內(nèi)的層數(shù)，從HBM3的最多12層增加到了最多16層，將支持每個堆棧2048位接口，數(shù)據(jù)傳輸速率達到6.4GT/s。

　　三、先進封裝產(chǎn)能擴張

　　隨著摩爾定律逼近物理極限，先進封裝技術(shù)正成為提升芯片性能的關(guān)鍵路徑。今年，臺積電、長電科技、通富微電等廠商紛紛擴大CoWoS、FCBGA等先進封裝產(chǎn)能。

　　另一方面，Chiplet（芯粒）技術(shù)通過將復(fù)雜芯片分解為更小的模塊，利用先進封裝集成，實現(xiàn)了降本增效，成為汽車高性能SoC開發(fā)的新突破口。

　　先進封裝的崛起標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)從“制程競賽”轉(zhuǎn)向立體集成的創(chuàng)新模式，為不同工藝節(jié)點的芯片組合提供了可能性。

　　四、AI芯片場景從云端訓(xùn)練轉(zhuǎn)向邊緣推理

　　自2025年起，市場對AI推理算力的需求激增，頭部大廠的采購趨勢已從過去單一投資訓(xùn)練算力，轉(zhuǎn)向訓(xùn)練與推理并行的策略。

　　近期，OpenAI向AMD，承諾購買可支持6GW算力的Instinct系列芯片，并計劃主要用于推理。

　　除此之外，博通采用（專用集成電路）ASIC方案，與OpenAI共同開發(fā)AI定制芯片。華泰證券預(yù)計，ASIC在AI推理領(lǐng)域的市場份額將從2023年的5%飆升至2028年的25%，OpenAI此舉正是踩準(zhǔn)這一技術(shù)趨勢。

　　云天勵飛董事長陳寧表示，2025年AI正從學(xué)習(xí)訓(xùn)練階段全面轉(zhuǎn)向應(yīng)用推理時代。未來5年到10年，將是AI訓(xùn)練和AI推理并重的時代。他認為，在AI引發(fā)的第四次工業(yè)革命中，AI訓(xùn)練芯片相當(dāng)于第二次工業(yè)革命中的發(fā)電機，而AI推理芯片則是將電能轉(zhuǎn)化為實際應(yīng)用的燈泡、家用電器和電動機，是推動產(chǎn)業(yè)化革命的關(guān)鍵。

　　五、高階智駕芯片上車

　　2025年被諸多車規(guī)芯片廠商視為高階智駕的決賽點和量產(chǎn)上車的窗口期。今年4月，蔚來5納米智駕芯片神璣NX9031量產(chǎn)裝車，首發(fā)搭載蔚來ET9，并推送至新款ET5、ES6、EC6等多款車型。

　　另一方面，小鵬的圖靈芯片同樣成功量產(chǎn)，單顆算力超過700TOPS，分別在新P7和G7量產(chǎn)裝車，可同時應(yīng)用于AI汽車、AI機器人和飛行汽車。

　　地平線征程6系列同樣宣布量產(chǎn)，算力達到560TOPS,全球首搭車型為奇瑞星途ET5。此外，比亞迪、吉利、奇瑞等品牌的多款系統(tǒng)也基于征程6芯片打造。

　　這一趨勢表明，L2+至L4級自動駕駛技術(shù)正從研發(fā)驗證走向規(guī)?；逃?，智能汽車對算力的需求更加急切。

　　六、碳化硅進入8英寸時代

　　碳化硅產(chǎn)業(yè)在2025年正式進入從6英寸向8英寸的產(chǎn)能轉(zhuǎn)換階段。意法半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、羅姆、安森美等廠商紛紛計劃在今年實現(xiàn)8英寸碳化硅晶圓的量產(chǎn)。

　　與6英寸相比，8英寸碳化硅的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在潛在成本、性能和參數(shù)均勻性等方面。在電動汽車800V平臺普及的推動下，“800V+SiC”已成為高端電動汽車的標(biāo)配。

　　碳化硅器件憑借其高能效、耐高溫和高頻特性，正成為能源革命的關(guān)鍵推動力。同時，氧化鎵等第四代半導(dǎo)體材料也開始嶄露頭角，其禁帶寬度達到4.9eV，理論損耗僅為硅的1/3000，有望在未來直接挑戰(zhàn)碳化硅的地位。

（文章來源：21世紀經(jīng)濟報道）

(原標(biāo)題：灣芯展圓滿落幕 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正出現(xiàn)六大趨勢)

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