存儲芯片價格飆漲 國內(nèi)企業(yè)擴產(chǎn)提速

　　在經(jīng)歷長達兩年的價格下行與產(chǎn)能收縮后，存儲市場強勢反彈。《中國經(jīng)營報》記者在裝機助手小程序上查詢多款熱門電腦內(nèi)存條，發(fā)現(xiàn)多款內(nèi)存條價格在近期都有大幅上漲。以宏碁掠奪者DDR5為例，該內(nèi)存條4條及以上套條9月末價格還在6200元左右，但11月20日前后已經(jīng)飆漲到8000元。

　　據(jù)TrendForce（集邦咨詢）最新發(fā)布的存儲現(xiàn)貨價格趨勢報告，受買家搶購報價影響，DRAM現(xiàn)貨價格飆升，其中DDR5芯片在一周之內(nèi)上漲30%，原因是整體供應(yīng)依然緊張，且主要模組廠商繼續(xù)限制出貨量。NAND方面，由于現(xiàn)貨供應(yīng)有限，交易較為零星，隨著市場趨緊，預(yù)計價格將進一步上漲。

　　更關(guān)鍵的是，存儲器步入強勁上行周期，導(dǎo)致整機成本上揚，并將迫使終端定價上調(diào)，進而沖擊消費市場。

　　多位業(yè)內(nèi)人士向記者指出，本輪存儲芯片漲價利好存儲產(chǎn)業(yè)鏈上游和中游企業(yè)，而對下游企業(yè)則造成一定的成本壓力。但在本輪上行周期中，存儲設(shè)備的國產(chǎn)化確實迎來了加速發(fā)展的機遇。

　　南開大學(xué)金融發(fā)展研究院院長田利輝在接受記者采訪時指出，本輪存儲芯片漲價是“AI需求爆發(fā)+供給側(cè)主動調(diào)整”的雙重驅(qū)動。AI算力需求爆發(fā)，AI服務(wù)器對存儲需求呈指數(shù)級增長，單臺AI服務(wù)器DRAM用量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，NAND用量達3倍。同時，三星、SK海力士等巨頭為追求更高利潤，將產(chǎn)能從傳統(tǒng)DRAM轉(zhuǎn)向HBM等高端產(chǎn)品，結(jié)構(gòu)調(diào)整導(dǎo)致傳統(tǒng)存儲供給結(jié)構(gòu)性緊張。此外，國際關(guān)稅壁壘和原廠主動減產(chǎn)共同推高價格，DRAM庫存周期大幅下降，市場供需嚴重失衡。

　　存儲芯片漲價導(dǎo)致缺貨潮

　　半導(dǎo)體分銷商FusionWorldwide總裁托比·貢納曼日前在接受媒體采訪時透露，三星電子11月交付的32GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存條，合同價格已從9月的149美元飆升至239美元，漲幅高達60%。

　　TrendForce預(yù)計，作為存儲芯片主要類型的DRAM，明年帶來的全行業(yè)營收將達到2023年周期低谷時的4倍以上——攀升至約2310億美元的歷史新高。

　　內(nèi)存漲價帶來的缺貨潮也在蔓延。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash方面，受合約價格陸續(xù)釋出且大幅上漲的帶動，NAND Flash現(xiàn)貨價格漲勢更為明顯。然而，由于原廠以利潤最大化為導(dǎo)向，釋出的硅晶圓資源相當有限；同時，手中持貨的廠商預(yù)期價格將持續(xù)上揚，因而惜售，導(dǎo)致市場出現(xiàn)“一貨難求”的狀況。

　　老牌存儲企業(yè)華邦電總經(jīng)理陳沛銘在近日舉辦的在線法人說明會上給出了更激進的判斷：“DDR5和DDR4的缺貨潮，恐怕到2027年都不會改變?！?/p>

　　濟安研究院研究員萬力向記者指出，存儲芯片（包括DRAM與NAND）價格在全球范圍內(nèi)持續(xù)上漲，其背后的關(guān)鍵因素主要有三點：第一，人工智能、大數(shù)據(jù)中心、云基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)加速，對大容量、高帶寬存儲需求爆發(fā)，推動芯片買家搶先鎖貨；第二，供應(yīng)端未完全跟上，部分廠商轉(zhuǎn)向更高端產(chǎn)品（如HBM、高帶寬存儲）或優(yōu)先服務(wù)數(shù)據(jù)中心客戶，使傳統(tǒng)存儲產(chǎn)線擴產(chǎn)與良率提升存在滯后；第三，終端設(shè)備廠商（如手機、筆記本電腦）已感受到內(nèi)存成本上漲帶來的壓力，并且部分廠商公開表示成本上漲可能導(dǎo)致終端售價提升。“這意味著價格上漲不僅是存儲行業(yè)自身的問題，也可能逐層傳導(dǎo)至消費電子與云服務(wù)端?！比f力說。

　　金鷹基金有關(guān)人士向記者分析，一些主要的芯片制造商將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向生產(chǎn)HBM和服務(wù)器專用的DDR5內(nèi)存，導(dǎo)致消費電子的LPDDR、DDR4等產(chǎn)品供應(yīng)銳減。此外，產(chǎn)業(yè)鏈庫存周期見底，上游囤貨和下游恐慌性采購等行為都在加劇存儲持續(xù)漲價。

　　蘇商銀行特約研究員張思遠向記者分析，在經(jīng)歷2022—2023年去庫存后，全球存儲行業(yè)庫存天數(shù)從120天降至60天以下，處于歷史低位。今年第三季度以來，代工廠承接大量NOR/NAND Flash急單，部分客戶為保障供應(yīng)轉(zhuǎn)向現(xiàn)貨市場，推動DDR416GB現(xiàn)貨價10月環(huán)比上漲，形成“低庫存+急單”的價格加速上漲循環(huán)。

　　下游手機廠商被迫漲價

　　在上述背景下，存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈從設(shè)計、制造到封測、分銷的多個環(huán)節(jié)均面臨價值重估。

　　甬興證券研報顯示，根據(jù)存儲市場資訊平臺CFM閃存市場的信息，在原廠供應(yīng)干預(yù)下，現(xiàn)貨貿(mào)易端包括NAND和DRAM在內(nèi)的所有資源價格快速上漲。在上游資源日益走高且供應(yīng)收緊的影響下，相對應(yīng)的產(chǎn)品生產(chǎn)成本大幅走高，服務(wù)器、手機、PC等各應(yīng)用端的存儲成品全面掀起漲價潮。目前，供應(yīng)端的態(tài)度仍然是影響整個存儲市場的主要因素，若未來資源端仍持續(xù)處于趨緊狀態(tài)，供需天平加速向賣方傾斜，存儲廠商控貨惜售的情緒將更加強烈，那么后續(xù)存儲成品端的價格也將延續(xù)上漲趨勢。

　　中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍近日在業(yè)績會上表示，由于存儲芯片供應(yīng)短缺及價格上漲，手機、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等行業(yè)拿貨偏謹慎。

　　田利輝向記者分析，產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)“冰火兩重天”格局，影響深度各異。上游原廠利潤提升，中游廠商面臨成本壓力，下游手機廠商被迫漲價。如傳音控股（688036.SH）2025年前三季度凈利潤同比下降，中高端機型普遍漲價。但這也加速了國產(chǎn)企業(yè)的發(fā)展，國產(chǎn)產(chǎn)品也在迅速擴張市場份額。

　　萬力向記者指出，這輪價格上漲對存儲產(chǎn)業(yè)鏈有明顯的“分化效應(yīng)”。對于上游設(shè)計與制造廠商而言，這意味著產(chǎn)品議價能力提升、毛利率改善，從而增強盈利修復(fù)預(yù)期；對于中游封裝測試與存儲模塊廠商來說，高價提供了一定利潤空間，有利于提升議價地位；但對于下游終端廠商，當存儲芯片成本上行而終端需求尚未同步放大，就可能出現(xiàn)利潤被壓縮或者售價被動上調(diào)。此外，若漲價預(yù)期過強但下游需求并未快速釋放，則可能導(dǎo)致庫存積壓或訂單延后，對中游廠商也可能形成挑戰(zhàn)。對投資者來說，關(guān)注價格上漲是否伴隨出貨與回款同步，尤為重要。

　　格上基金研究員畢夢姌向記者指出，以智能手機行業(yè)為代表的下游廠商承受著巨大的成本壓力。部分手機廠商的DRAM庫存已低于三周，并暫緩了本季度的采購。另外，由于消費者對手機漲價敏感，廠商普遍采取小幅漲價、存儲配置策略性下調(diào)的組合策略，如在部分機型中將運行內(nèi)存從16GB降至12GB。

　　國內(nèi)企業(yè)迎來加速發(fā)展機遇

　　多位受訪人士在接受記者采訪時表示，在本輪上行周期中，國內(nèi)存儲設(shè)備企業(yè)迎來了加速發(fā)展的機遇。

　　萬力向記者指出，一方面，廠商為保障擴產(chǎn)需要采購更多關(guān)鍵設(shè)備，而國內(nèi)設(shè)備企業(yè)也在政策、資金支持下加快技術(shù)推進。目前國內(nèi)設(shè)備廠商在薄膜沉積、刻蝕、測試等環(huán)節(jié)取得突破，并正在推動系統(tǒng)級整合。另一方面，由于中美貿(mào)易摩擦和供應(yīng)鏈風(fēng)險上升，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈更重視可控能力。但要注意，“快速”并非一蹴而就，在極紫外（EUV）光刻、高層數(shù)3D NAND等尖端環(huán)節(jié)，國產(chǎn)設(shè)備仍有一定差距。

　　具體來看，北方華創(chuàng)獲得“半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)的刻蝕方法”專利，中微公司突破新型刻蝕技術(shù)，長江存儲聯(lián)合中科院建成國內(nèi)首條硅基光互連RAM試驗線。“這些突破正推動國產(chǎn)存儲技術(shù)從‘跟跑’向‘并跑’邁進，為應(yīng)對存儲芯片漲價潮提供技術(shù)支撐，也為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控奠定了堅實的基礎(chǔ)。”田利輝說。

　　張思遠向記者介紹，在刻蝕設(shè)備方面，中微公司60∶1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備成為國內(nèi)3D NAND產(chǎn)線標配，下一代90∶1設(shè)備即將量產(chǎn)，技術(shù)參數(shù)對標應(yīng)用材料同類產(chǎn)品。在薄膜沉積設(shè)備方面，北方華創(chuàng)LPCVD設(shè)備在長江存儲232層NAND產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)，覆蓋率達30%；拓荊科技ALD設(shè)備進入長鑫存儲19nm DDR5產(chǎn)線，替代東京電子設(shè)備。在量檢測設(shè)備方面，中科飛測的明場納米圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備在長存三期產(chǎn)線通過驗證，良率達99.2%，打破KLA壟斷。

　　同時，國產(chǎn)存儲廠商也在擴產(chǎn)提速。張思遠介紹，長江存儲武漢第三工廠預(yù)計2027年投產(chǎn)，規(guī)劃月產(chǎn)能15萬片，設(shè)備國產(chǎn)化率目標達50%；長鑫存儲啟動高端產(chǎn)品量產(chǎn)計劃，2026年設(shè)備采購中，國產(chǎn)設(shè)備占比將從15%提升至35%。

　　田利輝表示，本輪存儲芯片“超級周期”不僅帶來價格上漲，更是國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈加速崛起的歷史性機遇。對國內(nèi)廠商而言，應(yīng)把握AI存儲需求爆發(fā)與國際供應(yīng)鏈重構(gòu)契機，加速技術(shù)創(chuàng)新與市場拓展，推動存儲產(chǎn)業(yè)鏈自主可控進程邁上新臺階。

（文章來源：中國經(jīng)營網(wǎng)）

(原標題：存儲芯片價格飆漲 國內(nèi)企業(yè)擴產(chǎn)提速)

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